アズワン 研究用高純度シリコンウェハー 4×P型 低抵抗 2-960-17

●研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供

●サイズ（インチ）×伝導型：４×Ｐ型（低抵抗）●ＯＦ長さ（ｍｍ）×ウェハー厚（μｍ）：３２．５±２．５×５２５±２５●入数：１枚●製造方法：ＣＺ法●面方位：１００●ＯＦ位置：１１０●抵抗値：０．１〜１００Ω・ｃｍ※低抵抗：≦０．０２Ω・ｃｍ、高抵抗：≧５００Ω・ｃｍ●パーティクル：パーティクル不問●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。●方位（切断角度）、ＯＦ位置角度公差、厚み公差をより小さく高精度に加工することができ、エッチングでの正確な溝形成が可能となります。●多様な形状加工と表面処理が可能です（例：ざぐり加工、穴あけ加工、酸化膜付きウェハー）。●ご希望の比抵抗率、ウェハー厚みに合わせた対応が可能です。

※メーカーの都合により、パッケージ・仕様等は予告なく変更になる場合がございます。
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